W971GG8JB
10.14 AC Overshoot / Undershoot Specification
10.14.1 AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins:
A0-A13, BA0-BA2, /CS, /RAS, /CAS, /WE, CKE, ODT
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DD
Maximum undershoot area below V SS
DDR2-1066
0.9
0.9
0.5
0.5
DDR2-800
0.9
0.9
0.66
0.66
DDR2-667
0.9
0.9
0.8
0.8
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
10.14.2 AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask pins:
DQ, DQS, /DQS, RDQS, /RDQS, DM, CLK, /CLK
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DDQ
Maximum undershoot area below V SSQ
DDR2-1066
0.9
0.9
0.19
0.19
DDR2-800
0.9
0.9
0.23
0.23
DDR2-667
0.9
0.9
0.23
0.23
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
Maximum Amplitude
Overshoot Area
V DD /V DDQ
Volts (V)
V SS /V SSQ
Maximum Amplitude
Undershoot Area
Time (nS)
Figure 29 – AC overshoot and undershoot definition
Publication Release Date: Jun. 15, 2012
- 67 -
Revision A02
相关PDF资料
W9725G6IB-25 IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA
W9725G6JB25I IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA
W9725G6KB-25I IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA
W972GG6JB-3I IC DDR2 SDRAM 2GBITS 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA
W9751G6KB-25 IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA
W9812G6JH-6I IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII
W9816G6IH-6I IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII
相关代理商/技术参数
W9725G6IB-25 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR)
W9725G6JB 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W9725G6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:512MB DDRII
W9725G6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
W9725G6KB-18 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W9725G6KB-25 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
W9725G6KB-25 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X16
W9725G6KB25A 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask